Η Samsung Electronics, wereldleider in geavanceerde geheugentechnologie, kondigde de massaproductie van mobiele DRAM met de hoogste capaciteit.
Η nieuwe mobiele DRAM is de eerste 4X in grootte-industrie 12 gigabyte (GB), laag stroomverbruik, dubbele datasnelheid (LPDDR4X) - geoptimaliseerd voor de premium smartphones van morgen. Met een hogere capaciteit dan de meeste ultradunne notebooks, stelt de nieuwe mobiele DRAM gebruikers in staat om alle functies van een smartphone van de volgende generatie optimaal te benutten.
"Met de lancering van massaproductie van de nieuwe LPDDR4X voltooit Samsung een volledige lijn van geavanceerde geheugenproducten die het nieuwe tijdperk van smartphones zullen verbeteren, inclusief opslagoplossingen van 12 GB mobiele DRAM tot 512 GB eUFS 3", aldus Sewon Chun, Executive Vice President van Memory Marketing door Samsung Electronics. "Bovendien versterken we met LPDDR4X onze positie als fabrikant van premium mobiel geheugen om effectief te kunnen voldoen aan de snel groeiende vraag van smartphonefabrikanten wereldwijd."
Dankzij 12 GB mobiel DRAM kunnen smartphonemakers de mogelijkheden van apparaten met meer dan vijf camera's, een steeds groter wordende schermgrootte en kunstmatige intelligentie (AI) en 5G-functies maximaliseren. Met de nieuwe 12GB DRAM kunnen smartphonegebruikers veel taken gelijktijdig en naadloos uitvoeren, sneller zoeken, moeiteloos navigeren tussen tal van applicaties, op zeer grote schermen met een hogere resolutie. Het slanke ontwerp (slechts 1.1 mm) dient ook het elegante, eenvoudige ontwerp van smartphones.
De capaciteit van 12 GB werd bereikt met de combinatie van zes (6) LPDDR4X-chips, elk 16 gigabit, gebaseerd op de tweede generatie verwerking van 10nm (1y-nm), in een enkel pakket, waardoor er meer ruimte vrijkwam voor de batterij van de smartphone. Bovendien zorgt het nieuwe 1 GB mobiele geheugen, met behulp van Samsung's 12y-nm-technologie, voor gegevensoverdrachtssnelheden tot 34.1 GB per seconde, terwijl de onvermijdelijke toename van het stroomverbruik als gevolg van de verhoging van de DRAM-capaciteit wordt verminderd.
Sinds de introductie van 1GB mobiele DRAM in 2011 blijft Samsung de ontwikkelingen op de mobiele DRAM-markt leiden, met de introductie van 6GB mobiele DRAM in 2015, 8GB in 2016 en de introductie van de eerste 12GB LPDDR4X. Vanuit de ultramoderne geheugenproductielijn in Korea is Samsung van plan om in de tweede helft van 8 het aanbod van 12GB en 1GB mobiele DRAM's op basis van 2019y-nm meer dan te verdrievoudigen om aan de verwachte grote vraag te voldoen.
Samsung Mobile DRAM-productieschema: massaproductie
datum | Capaciteit | Mobiel DRAM |
februari 2019 | 12GB | 1j-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
juli- 2018 | 8GB | 1j-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
april 2018 | 8GB (ontwikkeling) | 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
september 2016 | 8GB | 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
aug. 2015 | 6GB | 20 nm (2z) 12 Gb LPDDR4, 4266 Mb/s |
december 2014 | 4GB | 20 nm (2z) 8 Gb LPDDR4, 3200 Mb/s |
september 2014 | 3GB | 20 nm (2z) 6 Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
nov. 2013 | 3GB | 2j-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
juli- 2013 | 3GB | 2j-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
april 2013 | 2GB | 2j-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
aug. 2012 | 2GB | 30nm-klasse 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
2011 | 1 / 2GB | 30nm-klasse 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
2010 | 512MB | 40nm-klasse 2Gb MDDR, 400Mb/s |
2009 | 256MB | 50nm-klasse 1Gb MDDR, 400Mb/s |