Aangedreven door Samsung's 5e generatie V-NAND, biedt de nieuwe Universal Flash Storage 20 keer meer opslagruimte dan 64 GB interne opslag en 10 keer hogere snelheid dan een standaard microSD-kaart voor data-intensieve toepassingen.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., een wereldleider in geavanceerde geheugentechnologie, heeft vandaag de massaproductie aangekondigd van de eerste terabyte-sized, geïntegreerde Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 voor gebruik in mobiele toepassingen van de volgende generatie. Slechts vier jaar na de aankondiging van de eerste UFS-oplossing, de 128GB eUFS, overschreed Samsung de langverwachte limiet van één terabyte aan smartphone-opslag. Smartphone-enthousiastelingen zullen binnenkort kunnen genieten van een opslagcapaciteit die vergelijkbaar is met die van een premium notebook-pc, zonder dat ze extra geheugenkaarten aan hun mobiele telefoon hoeven toe te voegen.
"1TB eUFS zal naar verwachting een belangrijke rol spelen bij het creëren van een verbeterde gebruikerservaring op mobiele apparaten van de volgende generatie, vergelijkbaar met die van notebooks", zegt Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing bij Samsung Electronics. "Samsung zet zich ook in voor het veiligstellen van de meest betrouwbare toeleveringsketen en voldoende productievolumes om de release van opkomende vlaggenschip-smartphones te ondersteunen, met als doel de groei op de wereldwijde markt voor mobiele telefoons te versnellen."
Met behoud van dezelfde verpakkingsgrootte (11.5 mm x 13.0 mm), verdubbelt de 1 TB eUFS-oplossing de capaciteit van de vorige 512 GB-versie, door 16 lagen geavanceerder 512 GB V-NAND-flashgeheugen te combineren met een nieuw ontwikkelde eigen geheugencontroller. Smartphone-gebruikers kunnen 260 video's van tien minuten opslaan in 4K UHD-resolutie (3840X2160), terwijl de standaard 64GB eUFS, weergegeven door de meeste moderne smartphones, 13 video's van hetzelfde formaat kan opslaan.
1TB eUFS is extreem snel, waardoor gebruikers grote multimedia-inhoud in aanzienlijk minder tijd kunnen overbrengen. Met snelheden tot 1.000 megabyte per seconde (MB/s) heeft de nieuwe eUFS ongeveer twee keer de sequentiële leessnelheid van een standaard 2.5 inch SATA SSD. Dit betekent dat 5 GB Full HD-video's in slechts vijf seconden kunnen worden gedownload naar een NVMe SSD, wat 10 keer sneller is dan een standaard microSD-kaart. Bovendien is de willekeurige leessnelheid met 38% verhoogd ten opzichte van de 512GB-versie tot 58.000 IOPS. Willekeurige registraties zijn 500 keer sneller dan een krachtige microSD-kaart (100 IOPS) en bereiken 50.000 IOPS. Willekeurige snelheden maken continu hogesnelheidsopnamen mogelijk met 960 frames per seconde en geven smartphonegebruikers de mogelijkheid om de multi-cameramogelijkheden van moderne apparaten en vlaggenschepen van de volgende generatie optimaal te benutten.
Voor de eerste helft van 2019 is Samsung van plan de productie van de volgende generatie V-NAND 512GB in zijn fabriek in Korea uit te breiden om aan de grote vraag naar de langverwachte 1TB eUFS van fabrikanten van mobiele apparaten over de hele wereld te voldoen.
[the_ad_group id = ”966 ″]
