Η Taiwan Economic Daily hij beweert dat de TSMC bereikte een belangrijke interne ontdekking voor zijn definitieve verwijdering lithografie technologie 2 nm.
ΣVolgens de publicatie stelt deze mijlpaal TSMC in staat om: is optimistisch over een implementatie van vroege productie "Riskproductie" 2 nm in 2023.
Nog steeds indrukwekkend zijn de berichten dat TSMC verlaat FinFet-technologie voor een nieuwe multi-bridge channel field effect (MBCFET) transistor gebaseerd op Gate-All-Around (GAA) technologie. Deze belangrijke ontdekking komt eraan een jaar na de oprichting van een indoorteam door TSMC, wiens doel het was om de weg vrij te maken voor de ontwikkeling van 2 nm-lithografie.
MBCFET-technologie breidt de GAAFET-architectuur uit door de Nanowire-veldeffecttransistor te gebruiken en deze te "verspreiden" om een Nanosheet te worden. Het belangrijkste idee is om de veldeffecttransistor XNUMXD te maken.
Deze nieuwe complementaire metaaloxide-halfgeleidertransistor kan de circuitcontrole verbeteren en stroomlekkage verminderen. Deze ontwerpfilosofie is niet exclusief voor: TSMC - Samsung plannen om een variatie van dit ontwerp te ontwikkelen in hun lithografietechnologie 3 nm.
Zoals gewoonlijk, verdere vermindering van de chipproductieschaal brengt enorme kosten met zich mee. Met name de ontwikkelingskosten voor de 5 nm-lithografie hebben al $ 476 miljoen bereikt, terwijl Samsung stelt dat de technologie GAA van 3 nm kost meer dan $ 500 miljoen. Natuurlijk, de ontwikkeling van lithografie 2 nm, zal deze bedragen overschrijden...
Vergeet het niet te volgen Xiaomi-miui.gr bij Google Nieuws om direct op de hoogte te zijn van al onze nieuwe artikelen!
